此外,以IGBT為開關(guān)器件的IPM(Intelligent Power Module,智能功率模塊)和單片功率IC 芯片將功率開關(guān)器件與驅(qū)動(dòng)電路,保護(hù)電路等集成在同一封裝內(nèi),具有高性能和可靠性好的優(yōu)點(diǎn),所以隨著它們在大電流化和高耐壓化方面的發(fā)展,必將在中小型變頻器中得到更加廣泛的應(yīng)用。隨著微電子技術(shù)和半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,用于變頻器的CPU和半導(dǎo)體器件以及各種傳感器的性能越來越高。而隨著變頻器技術(shù)的發(fā)展,交流調(diào)速理論日益成熟,現(xiàn)代控制理論也在不斷得到新的應(yīng)用。這些都為進(jìn)一步提高變頻器的性能提供了條件。