全球第三代半導體產業的命脈，拿捏住了。
7月3日，商務部、海關總署發布公告，宣布中國將從8月1日起，對鎵和鍺2種金屬的相關物項實施出口管制。
所有相關產品的出口，都要向商務部提出申請，進行嚴格審查。
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這次限制出口，意義何在?
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簡單說，就是有能力在短期內影響整個產業，而以這個產業為支點的、人類社會最重要的一個萬億產業，未來也將被重重撼動。
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說“影響整個產業”，是因為中國在這方面有絕對的控制權。
這里先說說具有代表性的鎵。
目前全球金屬鎵的儲量約為27.93萬噸，而中國的儲量最多，達到19萬噸，占全球儲量的68%左右。
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當然，從儲量上看，68%的占比雖然高，但依然有3成在外面，顯然稱不上能“絕對控制”。
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但是，儲量只是儲量，不是產量，落到實際生產上又不同。
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根據美國地質勘探局數據，2021年，全球總共生產了430噸鎵，我們一家就生產了420噸，第2名是俄羅斯，生產了……5噸。
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420：5：3：2，中國貢獻了全世界98%的鎵產量，這就是當前全球鎵產業的基本格局。
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那么，有沒有可能其他國家迅速推動那剩下32%的鎵儲量進入生產環節，替代中國的鎵呢。
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基本沒有可能。
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因為鎵作為典型的稀散元素，并不會像大多數人認識的鐵、銅、鉛鋅等金屬一樣，獨立形成大規模礦藏，基本上都是在鋁土礦和鉛鋅礦中形成伴生鎵礦床。
可以說，在現代金屬生產鏈條上，鎵其實是鋁或鋅的副產品。
根據公開資料，目前全球90%以上的原生鎵都是在生產氧化鋁的過程中提取的。
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國內金屬鎵生產的龍頭企業——中國鋁業公司、東方希望(三門峽)鋁業有限公司，光看名字就知道他們主要業務。
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要大規模生產鎵，就要大規模開張氧化鋁生產線。
然而，鋁是一種早就被人類大規模生產和使用的金屬，產業鏈上游環節成熟穩定，這意味著絕大部分氧化鋁產品的生產不存在決定性的技術壁壘，不能帶來很高的附加值，賺錢的就是靠擴大產業鏈規模和上下游整合帶來的極致成本壓縮。
在這方面，“制造業規模連續13年全球第1”和“全世界唯一擁有聯合國產業分類中所列全部工業門類”的中國顯然具有優勢。
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去年，中國生產了全球57%的氧化鋁，這還是全球氧化鋁處于產能過剩狀態，國內全行業開工率80%的情況下。
如果國外要大興工程，再造一個氧化鋁產業鏈，要付出的成本將是天價。
不過，目前有一種說法是，日本等國正在大力推進回收再生鎵，以后只要回收已有的鎵產品，可以很大程度替代從中國進口的鎵原料。
但是根據USGC的《2023礦產商品概要》，只有紐約1家工廠會在生產砷化鎵器件的過程中回收廢料生產再生鎵。而從舊產品中提取再生鎵的數量，文件顯示為“0”(none)。
也就是說，至少在美國，所謂再生鎵，其實也只是原料鎵精細加工的產品，依然需要使用原料鎵。
而在7月6日，在被問及這兩種關鍵金屬的戰略儲備情況時，美國的回復是“目前沒有鎵的庫存儲備”。
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撬動萬億產業的支點
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盡管中國掌控著鎵的生產，但如果鎵是沒什么用的東西，那這種掌控力也就毫無意義。
但是事實是，鎵的作用實在是太大了，大到影響國家乃至人類的未來。
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之所以這么說，是因為鎵基本上綁定了3個字：
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半導體。
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砷化鎵作為第二代半導體材料的代表，在高頻、高速、高溫及抗輻照等微電子器件研制中占有主要地位，尤其是許多高精尖軍工產品不可或缺的部分。
而在風起云涌的第三代半導體大潮中，氮化鎵和碳化硅一起，并列第三代半導體材料的“雙子星”地位。
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與傳統材料相比，第三代半導體材料的核心優勢在于更寬的禁帶寬度，使得它們具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點，更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件。
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當然，單純從第三代半導體市場本身來看，盤子并不大。
2021年，綜合Yole、IHS的數據顯示，全球SiC和GaN的整體市場規模達24.16億美元，較2019年增長了50.9%。經初步估計，2022年全球SiC和GaN的整體市場規模或達到31.22億美元。
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TrendForce集邦咨詢研究預測，在主要應用領域——功率器件方面，碳化硅功率器件到2025年的全球市場規模將達到33.9億美元，而氮化鎵功率器件市場規模將達到8.5億美元，合起來只不過40億美元出頭。
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在可以預見的未來，整個半導體產業的主角還是第一代半導體構筑的集成電路產業。
不過，直接產值不高，不代表不重要。相反，隨著人類社會電氣化程度的加深，高頻大功率器件的重要性將日益凸顯。
第三代半導體就好像一個杠桿支點，撬動著多個重要產業的未來。
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其中影響最直接的，當屬電動汽車產業。
拋卻社會對新技術的習慣性妖魔化，電動汽車要在消費者中推廣，依然存在一個應用上的致命問題——續航焦慮。
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要破解續航焦慮，主要方法有二。一是增加電池，加強蓄能能力，但受制于成本和電池重量，電池增加存在經濟性上限;第二個方向則是使用高功率充電樁，提高補能效率，讓充電和加油一樣快。
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根據P=UI的功率公式，要提高功率，要么加大電壓，要么加大電流。
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如果要加大電流，那就必須面對電流熱效應帶來的損耗。根據Q = I^2Rt的公式，在同樣的線路和充電時間中，如果電流增大，那么發熱將以指數增長，不僅對汽車、充電樁的散熱系統有嚴苛的要求，造成成本飆升，還讓大量能量白白損耗。
所以電動汽車上高壓平臺，成為行業公認的選擇。
當然不僅是充電，高壓平臺也會降低車內電路和器件運作的損耗，反過來也增加了續航。
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目前受制于硅基功率器件的性能，市面上絕大部分電動汽車還在使用400V平臺。
但是業內估計，今年以內，800V平臺就會成為行業新的“內卷”領域。
反過來說，與之相適應的第三代半導體新器件開發，也到了迫在眉睫的時候。
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這里說的第三代半導體新器件，主要還是碳化硅。
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因為到目前為止，氮化鎵還不能承受太高工作電壓，在800V電壓平臺上，碳化硅的高壓工作特性會更具有應用優勢。
氮化鎵則更側重高頻應用，主要在電動汽車OBC、DCDC、儲能電源系統等環節，以及小容量、高端光伏逆變器中，或者是在智能手機、5G基站等通訊領域提供射頻信號和天線之間的最后一級功率放大。
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但是在未來，隨著氮化鎵耐壓能力進一步提升，其在性價比方面的優勢將被放大，在新能源市場的應用優勢將越發明顯。
如果氮化鎵能應用于電動汽車動力系統的主逆變器，從而獲得與碳化硅相當的驚人高容量，就將釋放巨大的市場增量。
前瞻根據EV volume和Statista的數據并結合近年來全球新能源汽車市場價格變化情況預測，2023年全球新能源汽車市場規模為4576億美元，到2028年，這個市場規模就將突破萬億美元。
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中國手中每年“區區”400多噸產量的鎵，以2022年均價2500元/公斤計算，市場規模不過10億人民幣，未來卻有可能成為撬動這個萬億美元市場的關鍵因素。
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