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機(jī)械社區(qū)

標(biāo)題: 沒有EUV光刻機(jī)，能國產(chǎn)7nm芯片么？ [打印本頁]

作者: Callejon 時(shí)間: 2023-9-7 09:20
標(biāo)題: 沒有EUV光刻機(jī)，能國產(chǎn)7nm芯片么？

近日，華為Mate 60 Pro手機(jī)搭載的麒麟9000S處理器，將公眾視線再次聚焦到了國產(chǎn)芯片制造之上。

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雖然目前代工廠未知，工藝未知，甚至GPU、CPU核等都有很多未知，但不妨礙大家的興奮和猜測，那就是沒有EUV光刻機(jī)，我們能不能國產(chǎn)7nm的芯片？

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事實(shí)上，這個(gè)問題已經(jīng)是老生常談了，ASML目前在售的DUV光刻機(jī)中，有四種高端的浸潤式光刻機(jī)，分別是NXT:2100i、NXT:2050i、NXT:2000i、NXT:1980Di。

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這4種浸潤式光刻機(jī)，最高都是能夠?qū)崿F(xiàn)7nm芯片工藝的，怎么來實(shí)現(xiàn)呢，用的是多重曝光技術(shù)。

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并且目前這種多重曝光技術(shù)，還有三種不同的方案，三種方案均可以在沒有EUV光刻機(jī)，僅有浸潤式光刻機(jī)的情況之下，實(shí)現(xiàn)7nm工藝。

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這三種方式分別是LELE、LFLE、SADP。

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具體來說，LELE是指將原本一層的電路，拆分成幾層進(jìn)行光刻機(jī)，這樣即使是DUV光刻機(jī)，也可以實(shí)現(xiàn)7nm。

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LFLE與LELE差不多，區(qū)別就是LELE是直接拆分成幾層來光刻，而LFLE則是將第二層光刻膠加在第一層已被化學(xué)凍結(jié)但沒去除的光刻膠上，再次進(jìn)行光刻，形成兩倍結(jié)構(gòu)。

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而SADP技術(shù)則與上面兩種完全不一樣了，SADP又稱側(cè)墻圖案轉(zhuǎn)移，用沉積、刻蝕技術(shù)提高光刻精度。

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不過大家要注意的是，不管是LELE，還是LFLE，或者SADF技術(shù)，都提高了對(duì)刻蝕、沉積光刻等工藝的技術(shù)要求，同時(shí)對(duì)工作臺(tái)的要求也非常高，因?yàn)槎啻螌?duì)準(zhǔn)，不能有偏移。

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而通過多重曝光影響也比較大，一是會(huì)導(dǎo)致良率降低，畢竟多曝光一次，誤差肯定就會(huì)變大，所以良率就會(huì)降低一些。

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同時(shí)多曝光一次，就相當(dāng)于光刻的工時(shí)翻倍，效率降低一半，那么成本也會(huì)增加一倍。

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所以如果光刻機(jī)精度跟得上的情況下，一般不會(huì)采用多次曝光的技術(shù)，因?yàn)樾式档停瑫r(shí)良率也會(huì)顯著下滑，最終導(dǎo)致成本可能成倍數(shù)上漲，非常不劃算的。

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只有在買不到高精度的光刻機(jī)，又急需工藝較先進(jìn)的芯片時(shí)，就不去考慮成本，不得不采用多重曝光技術(shù)了。

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所以我這也算是給大家解釋了，為什么沒有EUV光刻機(jī)，也能夠生產(chǎn)7nm芯片的原因。不過要進(jìn)入5nm，就必須使用EUV光刻機(jī)，因?yàn)镈UV光刻機(jī)精度有限，不能無限的多次曝光，按照專業(yè)人士的說法，目前的DUV光刻技術(shù)下，最多4次曝光，最多也只能達(dá)到7nm。

作者: 丹楓911 時(shí)間: 2023-9-7 11:14
說來說去現(xiàn)在連50納米的都做不了，估計(jì)10年內(nèi)都做不到20納米的

作者: zxzx2 時(shí)間: 2023-9-7 12:16
1、中興突破技術(shù)到7nm
2、買二手設(shè)備翻新加工7nm

作者: 周經(jīng)理 時(shí)間: 2023-10-18 21:31
不明白想表達(dá)什么

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