距離華為Mate 60 pro突然開售已經過去半個月，線上預訂的粉絲們最近都陸續收到了新機。
但由于華為官方一直沒有召開手機發布會，因此這款手機上依然有非常多的謎團等待解開。
就例如，這顆突然“空降”的麒麟9000s處理器，究竟算不算5G芯片？華為又是如何在重重封鎖下，“手搓”這顆純國產芯片呢？
在這里，我們就不對華為背后的技術和進行過多揣測，但可以肯定的是，國產光刻機技術在近期有不小的突破。
巧的是，就在最近，一項來自清華大學的光刻機技術在網絡上火了起來，簡單來說，就是把光刻機做得足夠大，就能生產出EUV光刻機需要的光源。
這樣的腦洞，不僅路人們聽上去玄乎，就連不少技術人員也表示了驚嘆。
一時間，網上的解讀和質疑聲也是層出不窮。
這項由清華大學提出的技術，專業術語名叫“穩態微聚束”（steady-state micro-bunching），簡稱SSMB，是一種新型的粒子加速器光源。
最早由清華大學杰出訪問教授趙午教授與其博士生于2010年提出，并在2017年，與清華大學工程物理系教授唐傳祥合作，共同發起理論實驗。
在2022年的中國物理學會秋季學術會議上，研究組成員潘志龍提到了由SSMB技術造出來的光刻機，叫作“SSMB-EUV”光刻機，而這也正是最近討論的話題的來源。
圖源 |寇享學術
SSMB背后涉及的原理非常復雜，筆者并不能完全解釋，所以這里就結合幾位科普博主的講解視頻，簡單進行一點概括。
首先，光刻機的原理，是利用光刻機發出的光源，通過設定好圖形的光罩，對涂有光刻機的硅板進行曝光，從而“刻”出電子線路圖，再進行一些后期加工，最終形成芯片的雛形。
如果光源的波長越短、功率越大，這樣的“光刀”就更加鋒利，“雕刻”出來的電子線路圖也就更加精密，芯片的性能與算力也就越強。目前，波長僅為13.5nm的極紫外光（EUV），是高端芯片的唯一選擇。
從電磁波譜上看，EUV已經非常接近X-射線，這么高的能量，單靠物理操作很難實現。
ASML采用的是LPP模式，通過一臺功率大于20 kW的CO2氣體激光器轟擊液態錫，形成等離子體，從而產生極紫外光。
圖 |LPP-EUV
在找到EUV光源解決方案后，加上多年以來的光刻技術，ASML做出業內最頂尖的EUV光刻機，最終壟斷了整個市場。
值得一提的是，為ASML提供EUV技術的是美國公司Cymer，這是全球唯一能夠提供商用EUV光源的公司，國內自然無法從外部解決光源問題。
不過，實現EUV光源的方案不止一種，清華大學團隊想到了用加速器加速電子，從而產生高功率的輻射。
簡單來說，電子只要加速運動，就會發射電磁波，理論上只要加速度夠快，那么必然出現符合EUV波長的“光子”。
但光有一個“光子”還不夠，想做光刻機需要穩定的“光束”。
研究人員發現，當電子束繞過加速器后，受到磁場的作用，會形成精細的微結構，這種就是“微聚束”。
圖源 | 《自然》雜志
再讓這些微聚束穿入激光陣列，通過激光與電子的相互作用，形成有一定間隔，相對聚集的排列，就這樣，微聚束被“穩態”地保持了。
就這樣，穩態微聚束呈現出極紫外光的高功率與短波長，算得上一種全新的EUV光源解決思路。
解釋完SSMB技術，光刻廠又是怎么一回事？
在網上，有人把“SSMB-EUV”光刻機稱作光刻工廠，甚至給出了工廠所在的地河北雄安新區，并貼出了相關圖片（注：網傳圖片為高能同步輻射光源項目，并非SSMB設施）。
據悉，除了3nm工藝外，4nm、7nm、14nm、28nm，但凡你聽說過的芯片制程工藝，都能在這個光刻工廠里解決。
圖源 | 微博
為了更好地理解，有人形象地將光刻工廠比喻成籃球架——如果說以前最中心的籃筐里（3nm）難度很大，那么就多加幾個籃筐（其他工藝），只要投籃次數夠多，總能投到最中心籃筐，而投不進的話，掉到其他籃筐里也能得分。
從原理上來說，光刻工廠和SSMB技術確實有很大的關聯性，都是利用電子束加速產生電磁波，從而得到對應的波長。由于粒子加速器體積大（加速器周長100-150米），同時需要很多配套設施，因此占地規模大也非常正常。
當然，方案可行，實施起來并沒有那么容易。
首先，從官方新聞稿看，這次在雄安新區落地的SSMB-EUV光源設施項目更接近科研用途，而不是實際生產。
從研發進程來看，SSMB-EUV技術在2021年在《Nature》雜志上正式刊登，通過原理驗證實驗，想在短時間內跨過下一步驗證，走向商用，還要一定時間。
其實，不論是光刻機還是光刻工廠，光源只是光刻機中的關鍵設備之一，其他配套設備同樣不可或缺。
作為一種全新的方案，其他國產替代設備是否適配SSMB-EUV技術，還是一個未知數。
最后，就是不少人提到的能源消耗和使用成本高的問題，雖然后續可以通過建造多條生產線將成本攤薄，但這就需要極強的規劃能力和長期運營能力。
總之，方案有了，思路有了，光刻工廠值得期待，但距離實際生產還有一段距離。
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