日本半導(dǎo)體材料的神話與現(xiàn)實(shí)

Insigne

2021年6月，日本眾議院召開(kāi)了一場(chǎng)主題為“復(fù)興日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)”的研討會(huì)，時(shí)值在疫情中遭遇重創(chuàng)的鎧俠半導(dǎo)體（即東芝存儲(chǔ)芯片部門(mén)）四處尋找接盤(pán)俠，日本存儲(chǔ)芯片最后的火種奄奄一息，日本官方邀請(qǐng)了五位專家學(xué)者暢所欲言，為產(chǎn)業(yè)復(fù)興出謀劃策，壓軸發(fā)言的是一個(gè)名叫湯之上隆的人。

, k2 C5 k3 R$ O2 g; ~6 e

湯之上隆曾任職于日立、爾必達(dá)的一線研發(fā)部門(mén)，親歷了日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從輝煌走向沒(méi)落的整個(gè)過(guò)程。2015年，他將自己的經(jīng)歷與思考寫(xiě)進(jìn)了《失去的制造業(yè)》一書(shū)，拋開(kāi)其中對(duì)老東家和老領(lǐng)導(dǎo)的冷嘲熱諷，《失去的制造業(yè)》堪稱研究日本芯片產(chǎn)業(yè)的必讀書(shū)目。

" ~# ?8 K: z' o: j2 @1 U! j

相比日本官方高舉復(fù)興大旗，湯之上隆在研討會(huì)上建議大家以最快的速度躺平，讓在場(chǎng)議員們大跌眼鏡：“失去的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已無(wú)法挽回，繼續(xù)投入就是浪費(fèi)納稅人的錢(qián)。”

- v( I2 S5 S7 A/ F% j: G

他認(rèn)為，由于日本的半導(dǎo)體公司一直難以適應(yīng)產(chǎn)業(yè)變化，早已錯(cuò)失歷史機(jī)遇；如今與其瞎折騰，不如守護(hù)好最后一點(diǎn)家底：位于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈最上游的設(shè)備與材料。

一塊芯片封裝前，會(huì)經(jīng)歷薄膜沉淀、光刻、蝕刻、清洗等多項(xiàng)工藝，每一步都需要特定的加工設(shè)備與原材料。過(guò)去數(shù)十年，日本企業(yè)一直是部分半導(dǎo)體設(shè)備的主要提供商。

+ a) {& \# b" I2 `/ e% s! |- q

而日本公司對(duì)半導(dǎo)體材料近乎壟斷的地位更是威名在外：前段工序常用的材料有19種，其中14種都由日本企業(yè)主導(dǎo)。

2019年7月，隨著日韓矛盾加劇，日本政府對(duì)韓國(guó)企業(yè)發(fā)起制裁，限制半導(dǎo)體核心材料的出口。鐵錘剛砸下三天，三星掌門(mén)李在镕如坐針氈，專程趕赴日本懇求松口。

后來(lái)眾議員的研討會(huì)結(jié)束不久，湯之上隆就寫(xiě)了篇文章，標(biāo)題叫“日本半導(dǎo)體設(shè)備和材料為何那么強(qiáng)？”，自豪之情溢于言表。

: l& G, k% a2 x' Z6 L8 `2 Q1 e% L7 _) {

, s( a9 y& V  h1 R9 L4 Z

- }% p  E% n! h+ n0 n! z

極其夸張的市場(chǎng)份額

5 m( K$ Y) S' ]% H( h* o8 ]6 v

結(jié)果文章發(fā)出去沒(méi)多久，日本就吃了一場(chǎng)敗仗。2021年，韓國(guó)的SEMES強(qiáng)勢(shì)崛起，超越日本企業(yè)SCREEN成為全球第六大半導(dǎo)體設(shè)備公司，其母公司正是在材料上被卡的翻白眼的三星。同一時(shí)期，三星一口氣投資了十幾家材料公司，希望在材料環(huán)節(jié)繞開(kāi)日本。

另一個(gè)有趣的現(xiàn)象是，相比輿論對(duì)日本半導(dǎo)體材料壟斷地位的艷羨，以及日本在化學(xué)、材料學(xué)等領(lǐng)域長(zhǎng)期耕耘的贊譽(yù)，日本產(chǎn)業(yè)界卻對(duì)這一成就評(píng)價(jià)復(fù)雜：

湯之上隆一邊高度認(rèn)可材料環(huán)節(jié)的強(qiáng)勢(shì)地位，但一邊稱日本對(duì)韓國(guó)的斷供“極其愚蠢”。另一位學(xué)者西村吉雄則在《日本電子產(chǎn)業(yè)興衰錄》中說(shuō)，日本芯片產(chǎn)業(yè)衰落的原因之一，就是做了太多基礎(chǔ)研究，反而忽視了應(yīng)用和模式層面的創(chuàng)新。

; g3 b& D; [. f! L

日本的半導(dǎo)體材料常常是一個(gè)被輿論神化的產(chǎn)業(yè)，它實(shí)際上并不復(fù)雜，但也沒(méi)有那么簡(jiǎn)單。

卡脖子

對(duì)韓國(guó)芯片公司而言，日本的貿(mào)易制裁，其威力不亞于往京畿道工廠丟一顆炸彈。

: U3 n0 o* i+ R! P; o

被限制出口的半導(dǎo)體材料共有三種，首當(dāng)其沖的是氟化聚酰亞胺。這個(gè)念起來(lái)有些費(fèi)嘴的化學(xué)物質(zhì)，是部分OLED面板的原材料。一旦掐斷供給，OLED電視等拳頭產(chǎn)品將面臨無(wú)貨可出的窘境。

/ Q3 e8 {- e/ ^8 I

但對(duì)三星等韓企來(lái)說(shuō)，更棘手的其實(shí)是另外兩件“戰(zhàn)略核武器”。

& J% ?; X" o- x6 M

第一件是EUV光刻膠，打擊目標(biāo)是韓國(guó)半導(dǎo)體的“未來(lái)”。

光刻膠是光刻工藝的關(guān)鍵材料，而光刻又是芯片制造的核心工藝。目前最先進(jìn)的光刻工藝是EUV（極紫外線），用于生產(chǎn)7nm以及更先進(jìn)制程的芯片。

過(guò)去幾年，三星一直在努力迭代自研的手機(jī)處理器Exynos，即便三星自己擁有7nm和5nm制程工藝，但也繞不開(kāi)光刻膠這一環(huán)。此時(shí)，作為原材料的光刻膠遭到制裁，本就不富裕的日子變得更加雪上加霜。

% T1 X/ _6 T# m5 L

另外，三星、SK海力士對(duì)下一代DRAM的研發(fā)也將被迫暫停。當(dāng)前，市場(chǎng)上的DRAM產(chǎn)品仍在努力逼近10nm制程，尚且用不上EUV光刻這樣的先進(jìn)技術(shù)；但未來(lái)DRAM的制程大概率會(huì)提升至5nm，這便踏進(jìn)了EUV光刻的領(lǐng)域。

* w+ S# n) [3 F% ?9 C( t

- f5 C, x/ e- P! ~

7 P3 c7 P3 D& L

EUV光刻

8 \! n& k: S# M% h1 N6 I2 M. Q

相比之下，第二把利器殺傷力更甚。這款名叫高純度氟化氫的材料，足以扼住韓國(guó)半導(dǎo)體的“現(xiàn)在”。

氟化氫是一種清洗用的化學(xué)材料。清洗工藝能夠去除芯片生產(chǎn)所帶來(lái)的雜質(zhì)，是影響芯片品質(zhì)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。生產(chǎn)一款芯片大概需要500至1000個(gè)步驟，其中大約10%的步驟都得用到氟化氫進(jìn)行清洗，堪稱是半導(dǎo)體的“血液”。

1 ~. z: s  n% \' o& }  Z* g! D

一旦氟化氫庫(kù)存告急，邏輯半導(dǎo)體（如CPU）、DRAM等主流半導(dǎo)體芯片均無(wú)法生產(chǎn)，能否開(kāi)展日常業(yè)務(wù)都將打上一個(gè)問(wèn)號(hào)。

/ K2 V. s, Y+ F3 R

面對(duì)日本的咄咄逼人，危機(jī)感爆棚的韓國(guó)人使出了渾身解數(shù)，先是跑去WTO伸冤打官司，與此同時(shí)，政府牽頭大搞國(guó)產(chǎn)替代，一口氣投入了6萬(wàn)億韓元的預(yù)算，三星也跟著投資了一批韓國(guó)本土的半導(dǎo)體材料企業(yè)。

在“打倒日本帝國(guó)主義”的號(hào)召下，同仇敵愾的韓國(guó)企業(yè)成功研發(fā)出了國(guó)產(chǎn)版本的高純度氟化氫和EUV光刻膠。文在寅卸任前的新年致辭中，曾重點(diǎn)提及了上述成就。

3 d1 _9 g: o8 _& q; p. ^# P

文在寅視察韓國(guó)產(chǎn)氟化氫

然而，故事的走向卻沒(méi)有發(fā)生太多逆轉(zhuǎn)：直到如今，日本依舊高度壟斷著高純度氟化氫和EUV光刻膠。

其地位之所以屹立不倒，和上述半導(dǎo)體材料的一大特質(zhì)有關(guān)：日本壟斷的材料，多是不能即插即用的非標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品。

其中氟化氫尤為典型——清洗并不是一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)化的工藝，每個(gè)制造商都有各自的理解和流程。因此，關(guān)于氟化氫的使用，實(shí)際上有稀釋、與氯化氫混合、與過(guò)氧化氫混合等多種完全不同的方案。而每種方案對(duì)氟化氫產(chǎn)品的要求又不太一樣，均需要專門(mén)定制。

& m  K9 N, _5 n. d7 u/ t6 o# M7 s

另一方面，大多數(shù)產(chǎn)品的理論原理和工藝技術(shù)都是公開(kāi)的，但選材與配比的數(shù)值，甚至生產(chǎn)車(chē)間合適的溫度和濕度，都需要漫長(zhǎng)的實(shí)驗(yàn)才能得到最佳結(jié)果。材料的非標(biāo)特質(zhì)，會(huì)帶來(lái)兩方面影響：

9 W+ B: y0 N; X: b! x, y8 D

（1）企業(yè)難以輕易更換解決方案以及相關(guān)供應(yīng)商，一旦合作就是長(zhǎng)期綁定。

在這方面，日本自己就吃過(guò)虧。1999年，日立和NEC兩家龍頭企業(yè)合資成立了存儲(chǔ)企業(yè)爾必達(dá)，準(zhǔn)備向領(lǐng)跑的三星發(fā)起進(jìn)攻。但在公司成立的頭兩年，卻爆發(fā)了嚴(yán)重的生產(chǎn)問(wèn)題，市場(chǎng)份額也迅速下跌，而“罪魁禍?zhǔn)住敝徽侨樟⒑蚇EC的清洗方案不兼容。

因此，哪怕韓國(guó)企業(yè)自研出了高純度氟化氫，依舊不能立刻擺脫日企的壟斷，最快也需要至少1年時(shí)間做測(cè)試；而EUV光刻膠的更換周期則更久，通常需要測(cè)試2-3年才能搬上產(chǎn)線。

“有國(guó)產(chǎn)材料”和“用國(guó)產(chǎn)材料”，實(shí)際上是兩件事。

' m- C- ]* B& H. w

氟化氫

（2）非標(biāo)材料的制造工藝多且繁雜，甚至存在部分只可意會(huì)不可言傳的隱性知識(shí)，需要企業(yè)有長(zhǎng)期相關(guān)的積累。在這方面，向來(lái)以“匠人精神”自居、發(fā)力較早的日本同樣有先天優(yōu)勢(shì)。

正如湯之上隆在書(shū)中寫(xiě)道：日本半導(dǎo)體材料的競(jìng)爭(zhēng)力核心，正是日本獨(dú)特的匠人文化。

不可否認(rèn)，這種“一生做好一件事”的匠人文化，確實(shí)在氟化氫這類具備延續(xù)性的領(lǐng)域頗有成效。氟化氫技術(shù)的迭代，本質(zhì)是不斷提升純度，將小數(shù)點(diǎn)后面的9越做越多的過(guò)程，主打一個(gè)精益求精。

韓國(guó)雖實(shí)現(xiàn)了氟化氫的國(guó)產(chǎn)化，但其純度只有99.99999999%（小數(shù)點(diǎn)后8個(gè)9），日本企業(yè)卻能做到小數(shù)點(diǎn)后10個(gè)9。看上去相差無(wú)幾，但如果乘上幾十上百道工序，最終結(jié)果會(huì)千差萬(wàn)別。

但問(wèn)題是，難道隔了個(gè)日本海，匠人文化就失傳了嗎？日本半導(dǎo)體材料的強(qiáng)勢(shì)，顯然不能只用文化來(lái)解釋。

日本式的勝利

和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)很多環(huán)節(jié)一樣，光刻膠誕生于美國(guó)，柯達(dá)、IBM曾是該市場(chǎng)的領(lǐng)跑者，但最終被日本產(chǎn)業(yè)化。

從上世紀(jì)80年代開(kāi)始，日本光刻膠產(chǎn)業(yè)突然火力全開(kāi)，最終將IBM斬于馬下。這一切的起點(diǎn)，始于一個(gè)至今仍被全球反復(fù)研究的項(xiàng)目——VLSI。

" P5 }7 O; |  E# b/ H, a

1976年，IBM研發(fā)新一代計(jì)算機(jī)的消息傳來(lái)，日本業(yè)界意識(shí)到1μm或更小工藝日趨臨近，深感時(shí)不我待的通產(chǎn)省集結(jié)了富士通、日立、三菱、東芝、NEC五家半導(dǎo)體公司，以及日本工業(yè)技術(shù)研究院、 電子綜合研究所和計(jì)算機(jī)綜合研究所三家機(jī)構(gòu)，開(kāi)展了一個(gè)名為VSLI（超大規(guī)模集成電路）的追趕計(jì)劃。

, _, y1 u4 b; }9 Y* ?+ y' ^3 p% H

VLSI最大的成就是DRAM芯片的突破，直接開(kāi)創(chuàng)了日本半導(dǎo)體的黃金年代。但實(shí)際上，VLSI項(xiàng)目共設(shè)有六個(gè)實(shí)驗(yàn)室，除了三個(gè)搞產(chǎn)品研發(fā)的，還有專門(mén)負(fù)責(zé)攻堅(jiān)半導(dǎo)體材料、光刻工藝以及封裝測(cè)試技術(shù)的團(tuán)隊(duì)。其中第四實(shí)驗(yàn)室的科研成果，就是負(fù)性光刻膠。

+ P) u; U; L& \# i, I' B

當(dāng)時(shí)，隔壁的第五實(shí)驗(yàn)室成功生產(chǎn)出了縮小投影型光刻裝置。由于材料和設(shè)備兩者互相強(qiáng)綁定，需要一同配套研發(fā)，這讓第四實(shí)驗(yàn)室的光刻膠研發(fā)掃除了最大的障礙。

1 \  \1 t( n8 E1 J& q

VLSI最大的成果，實(shí)際上是通過(guò)市場(chǎng)規(guī)模巨大的DRAM的突破，創(chuàng)造了一套國(guó)產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈，擺脫了對(duì)美國(guó)的設(shè)備依賴。包括做材料的京瓷和住友，做光罩的TOPPAN，做封測(cè)的東京電子，和做光刻機(jī)的尼康。

! g$ X, m: W, w7 E7 \

9 Q4 p% t! O. e1 s

光刻膠

90年代，KrF開(kāi)始成為光刻膠的主流路線。此時(shí)，尼康推出了全球首個(gè)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用的KrF光刻機(jī)系統(tǒng)，隔壁的光刻膠企業(yè)趁勢(shì)追趕。從2000年開(kāi)始，隨著光刻膠路線開(kāi)始往ArF和EUV轉(zhuǎn)向，日本又迅速和新任光刻機(jī)龍頭ASML建立了深度綁定，雙方配套研發(fā)、共同迭代。

由于和產(chǎn)業(yè)鏈的深度綁定，不論技術(shù)路線如何變化，日本光刻膠都有機(jī)會(huì)領(lǐng)跑。

另一個(gè)推手則是日本產(chǎn)業(yè)界對(duì)基礎(chǔ)科研的極端重視。雖然大多數(shù)新技術(shù)都在日本產(chǎn)業(yè)化，但日本社會(huì)普遍不滿足于生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)的成功，尤其是以貝爾實(shí)驗(yàn)室為代表的大公司研究院模式，更是被日本反復(fù)學(xué)習(xí)效仿。

彼時(shí)，日本主流思潮認(rèn)為：如果能在基礎(chǔ)科學(xué)上也保持領(lǐng)先，日本將長(zhǎng)期立于不敗之地。

90年代后，日本經(jīng)濟(jì)陷入長(zhǎng)期衰退，日本官方再次下場(chǎng)，希望通過(guò)對(duì)基礎(chǔ)研究的投入復(fù)蘇半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。1995年，日本出臺(tái)了《科學(xué)技術(shù)基本法》，并計(jì)劃此后每年往科學(xué)領(lǐng)域投入4萬(wàn)億至5萬(wàn)億日元。

1 A  I- |) l7 e8 r) ^8 _! p: j

2001年，日本政府提出，希望到2050年，日本能誕生30個(gè)諾貝爾獎(jiǎng)。此后20年，日本足足有16人獲得了三大自然科學(xué)類諾貝爾獎(jiǎng)，位居全球第三，其中6個(gè)屬于和半導(dǎo)體材料強(qiáng)相關(guān)的化學(xué)領(lǐng)域。

依靠在基礎(chǔ)科研上的長(zhǎng)期投入，日本一直維持著半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的霸主地位，并且將領(lǐng)先蔓延到了動(dòng)力電池產(chǎn)業(yè)。2019年，吉野彰獲得了諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng)，他的一大成就是發(fā)現(xiàn)了鋰電池負(fù)極材料，日本企業(yè)則是該領(lǐng)域的領(lǐng)跑者之一。另外，松下也是動(dòng)力電池最主要的生產(chǎn)商之一。

0 c: p, N/ I6 H7 p

但讓日本產(chǎn)業(yè)界始終難以介懷的是，與半導(dǎo)體材料的凱歌高奏相反，日本的傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)項(xiàng)目存儲(chǔ)、面板、芯片制造等環(huán)節(jié)，卻始終止步不前，成為了電子產(chǎn)業(yè)黃金年代中尷尬的旁觀者。

得到的與失去的

2023年3月，韓國(guó)總統(tǒng)尹錫悅出訪日本，宣告自2019年開(kāi)始的日韓貿(mào)易戰(zhàn)結(jié)束。韓國(guó)不少聲音認(rèn)為，尹錫悅已經(jīng)舉白旗投降——因?yàn)闋?zhēng)端源頭是歷史遺留問(wèn)題催生的民族矛盾，但他上臺(tái)后卻對(duì)這些問(wèn)題閉口不談，更主動(dòng)對(duì)日本示好，無(wú)疑是“滑跪”的體現(xiàn)。

然而湯之上隆并不這么認(rèn)為。他公開(kāi)表示，制裁正在親手摧毀日本的氟化氫產(chǎn)業(yè)，堪稱“歷史性的愚策”，因?yàn)槿毡就瑯痈叨纫蕾図n國(guó)市場(chǎng)。

事實(shí)也是如此，日本財(cái)務(wù)省統(tǒng)計(jì)的出口數(shù)據(jù)顯示，2011年之后，韓國(guó)一直是日本氟化氫的最大出口國(guó)，并占據(jù)了總出口量的90%以上。由于氟化氫難以輕易替換，一旦合作便是長(zhǎng)期綁定；但反過(guò)來(lái)說(shuō)，一旦三星鐵了心要搞國(guó)產(chǎn)替代，日本氟化氫也會(huì)失去最主要的收入來(lái)源。

' c9 n: p/ `$ K% J) W5 h& t3 b0 k; Q4 ]

而這種影響已經(jīng)開(kāi)始出現(xiàn)。2019年之前，日本氟化氫的對(duì)韓出口量大約在每月3000噸左右。此后，日本雖然解除了出口限制，但直到2023年年初，這個(gè)數(shù)字依舊只有約500噸。

% e" X' W! x" ]) k4 l

& H; B4 `/ L) ]

日本氟化氫對(duì)韓出口變化

1 Q# F+ l7 ]" A2 B" g2 D

這種“傷敵一千，自損一千二”的現(xiàn)象，反映了整個(gè)半導(dǎo)體材料行業(yè)的尷尬處境：戰(zhàn)略價(jià)值大，但戰(zhàn)術(shù)價(jià)值小。

材料雖是芯片生產(chǎn)的必需品，但市場(chǎng)規(guī)模“僅有”643億美元（2021年），相比之下，日本人失去的存儲(chǔ)和面板市場(chǎng)，規(guī)模都高達(dá)1600億美元和1300億美元（2021年）。這還沒(méi)算上曾是日本傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)項(xiàng)目——被蘋(píng)果、高通、英偉達(dá)等公司占據(jù)的消費(fèi)電子市場(chǎng)。

因此高情商的說(shuō)法是，幾百億規(guī)模的半導(dǎo)體材料，足以影響下游上萬(wàn)億規(guī)模的電子市場(chǎng)；但低情商的說(shuō)法是，市場(chǎng)規(guī)模也就這么大。

這也是日本產(chǎn)業(yè)界無(wú)法釋?xiě)训脑颍?strong>相比他們失去的存儲(chǔ)、面板、芯片制造和消費(fèi)電子市場(chǎng)，材料領(lǐng)域的霸權(quán)實(shí)在是太微不足道了。

在《日本電子產(chǎn)業(yè)興衰錄》一書(shū)中，對(duì)于日本政府和企業(yè)在科研上的大手筆投入，作者西村吉雄非但不覺(jué)得驕傲，反而認(rèn)為對(duì)科研的癡迷導(dǎo)致日本半導(dǎo)體公司錯(cuò)過(guò)了90年代電子產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型大潮。他提出了一個(gè)很有代表性的觀點(diǎn)：日本公司很擅長(zhǎng)研究“怎么做”，卻疏于判斷“做什么”。

西村吉雄認(rèn)為，基礎(chǔ)科學(xué)固然重要，但日本對(duì)此有些過(guò)度迷信，把“創(chuàng)新”與“技術(shù)突破”混為一談。在書(shū)中，他通過(guò)英特爾的例子來(lái)論證，其成功恰恰不是依賴于科學(xué)研究，而是打造了“技術(shù)封閉+標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)放”的生態(tài)，任何開(kāi)發(fā)者都可以基于x86架構(gòu)與Windows系統(tǒng)開(kāi)發(fā)軟件，最終成為了消費(fèi)電子時(shí)代的霸主。

8 n# j# C) t! u% q6 U  U; B. z

微處理器（CPU）等邏輯半導(dǎo)體的出現(xiàn)，其實(shí)和基礎(chǔ)科學(xué)的進(jìn)步無(wú)關(guān)，更多是受到了市場(chǎng)需求的推動(dòng)。日本對(duì)基礎(chǔ)科學(xué)的癡迷，最終導(dǎo)致它與一個(gè)千億美金的市場(chǎng)失之交臂。

后來(lái)，湯之上隆又在《失去的制造業(yè)》里補(bǔ)充一個(gè)生動(dòng)鮮活的案例：

被三星打到破產(chǎn)的爾必達(dá)，其實(shí)在技術(shù)上遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)三星。比如爾必達(dá)的512M DRAM的良品率可以達(dá)到98%，三星只有83%，但問(wèn)題是，把成品率從80%提高到95%需要付出巨大的成本。相比三星2005年30%的利潤(rùn)率，爾必達(dá)只有3%。

, L% `+ B) ?0 F; h1 w

2008年，行業(yè)進(jìn)入下行周期，三星故意擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)一步壓低價(jià)格，爾必達(dá)虧到親媽不認(rèn)。在破產(chǎn)的發(fā)布會(huì)上，CEO坂本幸雄仍然念叨著“爾必達(dá)技術(shù)世界第一”。

湯之上隆在《失去的制造業(yè)》中總結(jié)了日本強(qiáng)勢(shì)產(chǎn)業(yè)的幾個(gè)特點(diǎn)，其中最重要的一點(diǎn)是：日本公司擅長(zhǎng)在一條長(zhǎng)坡厚雪的賽道做持續(xù)的創(chuàng)新，而不善于面對(duì)頻繁的技術(shù)變化。

前者的代表是燃油車(chē)、鋰電池和半導(dǎo)體材料這類“干中學(xué)、學(xué)中干”色彩強(qiáng)烈的產(chǎn)業(yè)，后者則是他們失去的存儲(chǔ)和面板。無(wú)論是市場(chǎng)地位、公司營(yíng)收，還是創(chuàng)造的利稅、崗位與附加值，半導(dǎo)體材料都無(wú)法和后者相比擬。

尾聲

20世紀(jì)80年代，西方世界對(duì)東亞經(jīng)濟(jì)騰飛的解讀仍以新自由主義為底色，日本政府頗有微詞，豪擲120萬(wàn)美元考察費(fèi)，邀請(qǐng)世界銀行專家“客觀分析”日本模式成功的原因。1993年，世行出版了針對(duì)東亞后發(fā)經(jīng)濟(jì)體的研究報(bào)告《東亞奇跡》，扭扭捏捏的承認(rèn)了“政府主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)升級(jí)”的益處。

0 ^- A3 k2 |  m* S7 X

報(bào)告發(fā)表一年后，美國(guó)經(jīng)濟(jì)學(xué)家保羅·克魯格曼(Paul Krugman)在《外交雜志》上潑了一盆冷水，稱日本“并非經(jīng)濟(jì)奇跡的典型”，亞洲四小虎更是紙老虎："亞洲的繁榮是高投入創(chuàng)造的數(shù)量增長(zhǎng)，而非效率提升，建立于浮沙之上，遲早會(huì)幻滅 。"

80年代也是日本產(chǎn)業(yè)界自我反省的高峰期，日本人認(rèn)為，自己不應(yīng)該滿足于將誕生于美國(guó)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化，而是應(yīng)該效仿美國(guó)企業(yè)設(shè)立研究院，在基礎(chǔ)科研上百尺竿頭更進(jìn)一步，在下一次技術(shù)浪潮中拔得頭籌。

$ s4 ~! i4 N) l

直到今天，日本企業(yè)的科研投入仍保持在全球一線梯隊(duì)：2019年，日本企業(yè)的研發(fā)投入占該年度GDP的3.51%，位居全球第三。

陰差陽(yáng)錯(cuò)的是，在長(zhǎng)久的經(jīng)濟(jì)衰退中，日本的優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)被韓國(guó)、中國(guó)大陸和臺(tái)灣地區(qū)瓜分殆盡，在日本人眼里，產(chǎn)業(yè)上游的霸權(quán)地位，更像是某種體面的撤退。

5 j) v$ V7 [2 Q  n* ^# E

日本在半導(dǎo)體材料上的霸權(quán)依然穩(wěn)固，但他們更加在意的是，夏普的龜山屏、東芝的Dynabook和索尼的Walkman，曾一次又一次驚艷過(guò)世界。

+ J1 v8 g- V6 f2 m+ B& L$ Y

基礎(chǔ)科研與所謂“應(yīng)用創(chuàng)新”，本質(zhì)上并無(wú)高低優(yōu)劣之分，長(zhǎng)周期高投入的科研與商業(yè)利益的平衡從來(lái)都難以取舍。但歸根結(jié)底，創(chuàng)新的目的不是為了卡誰(shuí)的脖子，而是通過(guò)提高定價(jià)權(quán)獲得更高的產(chǎn)業(yè)附加值，繼而通過(guò)高收入崗位的創(chuàng)造與財(cái)富再分配，改善更多普通人的生活。

摯愛(ài)重金屬

師傅，你是做什么工作的，鷹大給你發(fā)工資嗎